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鋁酸鎂鈧(ScMgAlO4)
型號:
ScMgAlO4
產(chǎn)品概述:
ScMgAlO4晶體是最近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用理想的襯底材料,是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。ScMgAlO4晶體屬于六方晶系,晶格常數(shù)a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面體層狀結(jié)構(gòu),與纖鋅礦氮化物和氧化鋅的結(jié)構(gòu)相似。
ScMgAlO4是一種與GaN和ZnO晶格常數(shù)和結(jié)構(gòu)非常匹配的襯底材料(表1)。它與GaN的晶格失配率約為1.8%,與ZnO的晶格失配率僅為0.09%,a軸的熱膨脹系數(shù)為6.2x10-6/℃,c軸的熱膨脹系數(shù)為12.2x10-6/℃,與GaN、ZnO外延薄膜之間的熱膨脹系數(shù)失配比傳統(tǒng)的藍(lán)寶石和硅等襯底好的多。
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技術(shù)參數(shù)

·晶體結(jié)構(gòu):六方晶系

·晶格常數(shù):a=0.3246nm,c=2.5195nm

·生長方法:提拉法


主要襯底材料與GaN及ZnO的晶格失配率:

襯底材料

ScAIMgO4

0001

ZnO

(0001)

SiC

(0001)

?-Ga203

(100)

Al203

(0001)

Si

(111)

GaN失配

+1.8%

+2.3%

-3.5%

+5%

-13%

+16.9%

ZnO失配

+0.09%

- -

-5.2%

-6.5%

-18.4%

+40.1%





產(chǎn)品規(guī)格:

·常規(guī)晶向:

·常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm

·表面粗糙度:<0.5nm

注:尺寸可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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