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砷化鎵(GaAs)晶體基片
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)

單晶

砷化鎵(GaAs)

摻雜:

None;Si;Cr;Te;Zn

導(dǎo)電類型:

Si;N;Si;N;P

載流子濃度cm-3:

/> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

位錯(cuò)密度cm-2:

<5x105

生長方法及最大尺寸:

LEC & HB ?3"


常規(guī)尺寸

常規(guī)晶向:<100>、

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;

拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A;

注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注

1000級超凈室100級超凈袋

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