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ZnO 晶體基片
產(chǎn)品概述:
氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應(yīng)用于GaN(藍(lán)光 LED)外延基片,寬波段連接器件等領(lǐng)域.
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產(chǎn)品名稱

ZnO 晶體基片



技術(shù)參數(shù)


晶體結(jié)構(gòu):                    

六方晶系                                

晶格常數(shù):

a=3.325 ?  c=5.213 ? 

密度:

5.605 g/cm3

晶體純度:

99.99%

介電常數(shù):8.5

熔點:

1975℃

莫氏硬度:

4

熱膨脹系數(shù)(10-6/K):

6.5// a  3.7// c

熱容:

0.125(J /g.k)

透過波長:

0.4~0.6um

熱導(dǎo)率:

30W/(m.k)  at300K

生長方式:

水熱法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                  

<0001>、<11-20>、<10-10>

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm       

晶體粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。



晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝



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